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Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
30
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
40
150 C
-55 C
10
7.0 V
6.5 V
6.0 V
10
o
o
25 C
o
1
2. T C = 25 C
1
1
*Notes:
1. 250 ? s Pulse Test
o
10
20
0.1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 ? s Pulse Test
6 8
10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.4
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
1.2
o
1.0
25 C
10
o
0.8
V GS = 10V
0.6
V GS = 20V
*Notes:
*Note: T J = 25 C
0.4
0
5
10 15
20
o
25
1
0.3
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
0.6 0.9 1.2 1.5
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2000
1500
C oss
C iss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
1000
4
500
C rss
2
0
0.1
1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
10
30
0
0
5
*Note: I D = 11.5A
10 15 20
Q g , Total Gate Charge [nC]
25
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB12N50TM Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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